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991.
992.
基于线阵CCD的新型微位移传感器的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
常用的激光三角法微位移传感器适用于直线位移测量,不适用于微小角位移的动态测量.因此研制了一种新型的基于线阵CCD的微小角位移传感器,采用平行光斜射式激光三角法,由准直透镜、聚焦透镜及光栏等光学器件、高速线阵CCD及由CPLD、信号发生电路和采样保持电路等构成的实时信号处理电路组成,具有结构简单,线性度好,灵敏度高,测量频率高,分辨率高和实时性好等特点;介绍了其结构和工作原理,实验测试其特性,并将其应用于高频电-机械转换器动态特性的测量.研究表明该传感器的最大量程为0.2rad,分辨率为0.0002rad,最高测量频率为10 kHz,可应用于高频电-机械转换器等元件的微小角位移的特性的动态检测. 相似文献
993.
994.
神经记录用硅基多通道微电极探针的设计与制造 总被引:2,自引:0,他引:2
为了从中枢神经系统记录电信号,半导体加工技术已经被用于微电极探针的制造.介绍了一种硅基探针的设计和制造工艺流程.我们已经制造出15 μm厚,3 mm长,100μm宽的记录用探针,每根探针含有7个记录点,间隔120 μm.在制造过程中使用微机械系统(MEMS)工艺中常用的硅表面微加工工艺:等离子增强化学气相淀积(PECVD),感应耦合等离子刻蚀(ICP)以及硅的各向异性刻蚀等.测试结果给出了探针的强度和阻抗特性. 相似文献
995.
基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET.利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口.片上集成100 μm×100 μm电极提供参考电位,消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象.缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量,器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44 mV/pH,线性度在10%范围内.本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设计中. 相似文献
996.
This study is concerned with developing a two-dimensional two-phase model thatsimulate the movement of non-aqueous phase liquid (NAPL) in a fracture-rock matrix system. Theintrinsic permeability and the fracture aperture are represented in the model via its Karhunen-Loeve expansion. Other parameters and the nodal unknowns, water saturations and waterpressures, are represented by their stochastic spectral expanions. The errors resulting fromtruncation of Karhunen - Loeve and polynomial chaos expansions to a finite number of terms areanalyzed. The eigenvalues of stochastic process is found out for any point in the special domain ofthe problem at any instant in time. 相似文献
997.
基于神经网络的薄壁件加工变形预测方法 总被引:1,自引:1,他引:0
在薄壁件的切削加工过程中,刀具几何结构是产生工件变形的重要因素之一。刀具单一角度所引起的工件变形规律可以很方便地通过有限元方法获得,但是,若同时考虑刀具多个角度的影响,仅仅利用有限元方法很难揭示多种工况与工件变形之间的关系。为此,针对薄壁件的铣削加工建立了三维有限元分析模型,通过实验数据与仿真值的比较验证有限元分析模型的有效性,以便利用有限元分析模型获取神经网络的训练样本;借助神经网络的非线性映射能力,通过有限的训练样本构建工件变形预测模型;将预测值与相应的有限元仿真值进行比较,结果表明预测误差在3%以内,进一步验证了建立的工件变形预测模型具有合理性。 相似文献
998.
999.
利用PSpice电路仿真软件建立了螺旋线圈型电磁发射器(Helical electromagnetic launcher,HEML)换向过程的等效电路模型,分析了换向过程中后换向匝断开时的能量转化情况,并在此基础上针对HEML设计了2种续流方案;结果表明:换向结束之后,后换向匝仍有大量的能量剩余,容易造成匝间电弧放电;通过将二极管反接在后换向匝两端可以将后换向匝中剩余能量释放,有效抑制匝间电弧的产生;利用二极管将后换向匝与激励区连接可以将后换向匝中剩余能量前馈到激励区,以此抑制匝间电弧的产生,并且提高换向过程能量转换效率. 相似文献
1000.